??我們知道，晶閘管有一個(gè)重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。

??在晶閘管處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管陽極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管在關(guān)斷時(shí)，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。

??為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管安全運(yùn)行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械?變壓器漏感或負(fù)載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管。同時(shí)，避免電容器通過晶閘管放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。

??由于晶閘管過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一。

??二、整流晶閘管(可控硅)阻容吸收元件的選擇

??電容的選擇

??C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×If

??If=0.367Id

??Id-直流電流值

??如果整流側(cè)采用500A的晶閘管(可控硅)可以計(jì)算C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×500=1.25-2.5mF，選用2.5mF，1kv 的電容器

??電阻的選擇：

??R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56，選擇10歐

??PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負(fù)12次方×R)2

??Pfv=2u(1.5-2.0)

??u=三相電壓的有效值

??阻容吸收回路在實(shí)際應(yīng)用中，RC的時(shí)間常數(shù)一般情況下取1~10毫秒。

??小功率負(fù)載通常取2毫秒左右，R=220歐姆1W，C=0.01微法400~630V。

??大功率負(fù)載通常取10毫秒，R=10歐姆10W，C=1微法630~1000V。

??R的選取：小功率選金屬膜或RX21線繞或水泥電阻;大功率選RX21線繞或水泥電阻。

??C的選取：CBB系列相應(yīng)耐壓的無極性電容器。

??看保護(hù)對(duì)象來區(qū)分：接觸器線圈的阻尼吸收和小于10A電流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范疇;接觸器觸點(diǎn)和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范疇